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GAN基Micro-LED有待解决的关键问题
1、Micro-LED发光像元“尺寸效应”与“边缘效应
2、实现全彩色显示
3、巨量转移
4、大尺寸高均匀性GaN发光芯片外延生长5、应用于Micro-LED的电流驱动型有源寻址超高分辨率Micro-LED阵列器件设计与加工
7、氮化同质集成技术
8、激光剥离衬底与坏点修复技术
第三代半导体晶圆超纯水机专业供应商:
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